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第三代功率半導體器件動態可靠性測試系統
了解更多KC-3105
現代寬禁帶功率器件 (SiC, GaN) 上的開關晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當大的挑戰。與 HTRB高溫偏置試驗一 一對應，AQG324 該規定了動態偏置試驗，即動態高溫反偏（DHRB，Dynamic high-temperature reverse bias）
功率半導體高精度靜態特性測試系統(生產端)
了解更多KC3111
設備簡介KC3111功率半導體高精度靜態特性測試系統（面向工廠生產端），基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規級模塊的新興要求而進行的一次高標準產品開發。脈沖信號源輸出方面，高壓源標配2000V（選配3.5KV）,高...
功率半導體動態參數測試系統
了解更多KC3120
設備簡介KC3120功率半導體動態參數測試系統可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項動態參數測試，如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關斷延遲時間、開通損耗、...
功率半導體高精度靜態特性測試系統(實驗室)
了解更多KC3110
設備簡介KC3110功率半導體高精度靜態特性測試系統，基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規級模塊的新興要求而進行的一次高標準產品開發。本系統可以在3KV和1000/2000A的條件下實現精確測量和參數分析，漏電流測試...
IGCT自動測試系統
了解更多KC3106
IGCT（IntergratedGateCommutatedThyristors）是在晶閘管技術的基礎上結合IGBT和GTO等技術開發的新型器件，適用于高壓大容量變頻系統中，是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體器件。
功率循環測試Power Cycling TEST&熱特性智能檢測系統
了解更多KC3130
現代寬禁帶功率器件 (SiC, GaN) 上的開關晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當大的挑戰。汽車功率模塊測試標準AQG 324特別突出了功率循環試驗，在整個SiC-MOSFET壽命試驗相關內容中，功率循環試驗不僅被列為首...
